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武漢賽斯特精密儀器有限公司
初級(jí)會(huì)員 | 第6年

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  • 半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀系統(tǒng)

    半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀系統(tǒng)單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。

    型號(hào): 所在地:武漢市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/10 18:36:45 對(duì)比
    晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀參數(shù)測(cè)試儀半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀分立器件測(cè)試儀
  • IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

    IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。

    型號(hào): 所在地:武漢市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/10 18:24:08 對(duì)比
    晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀參數(shù)測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)靜態(tài)參數(shù)測(cè)試
  • 多功能分立器件測(cè)試系統(tǒng)

    多功能分立器件測(cè)試系統(tǒng) 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。

    型號(hào): 所在地:武漢市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2021/9/8 15:53:09 對(duì)比
    晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀參數(shù)測(cè)試儀
  • 功率器件流水線全靜態(tài)參數(shù)自動(dòng)測(cè)試儀

    功率器件流水線全靜態(tài)參數(shù)自動(dòng)測(cè)試儀 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。

    型號(hào): 所在地:武漢市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2021/9/8 15:51:39 對(duì)比
    晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀參數(shù)測(cè)試儀
  • 分立器件測(cè)試儀系統(tǒng)

    分立器件測(cè)試儀系統(tǒng) 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。

    型號(hào): 所在地:武漢市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2021/9/8 15:50:30 對(duì)比
    晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀參數(shù)測(cè)試儀
  • IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀設(shè)備

    IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀設(shè)備 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。

    型號(hào): 所在地:武漢市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2021/9/8 15:49:44 對(duì)比
    晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀參數(shù)測(cè)試儀
  • 半導(dǎo)體分立器件光耦適配器測(cè)試儀

    半導(dǎo)體分立器件光耦適配器測(cè)試儀 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。

    型號(hào): 所在地:武漢市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2021/9/8 15:48:23 對(duì)比
    晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀參數(shù)測(cè)試儀
  • 晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀設(shè)備

    晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀設(shè)備 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。

    型號(hào): 所在地:武漢市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2021/9/8 15:47:39 對(duì)比
    晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀參數(shù)測(cè)試儀
  • 功率電子器件正向壽命試驗(yàn)系統(tǒng)

    功率電子器件正向壽命試驗(yàn)系統(tǒng) 測(cè)試一個(gè)器件周期為80ms,依次測(cè)試完成22個(gè)器件后結(jié)束測(cè)試,之后自動(dòng)切換到下一個(gè)設(shè)定電流下測(cè)試,直到測(cè)試完成。

    型號(hào): 所在地:武漢市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2021/9/8 15:46:54 對(duì)比
    晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀參數(shù)測(cè)試儀
  • 碳化硅器件浪涌電流測(cè)試設(shè)備

    碳化硅器件浪涌電流測(cè)試設(shè)備 主要是實(shí)現(xiàn)測(cè)試碳化硅器件在開通瞬間產(chǎn)生最大承受電流Ipp及在關(guān)斷瞬間產(chǎn)生最大沖擊電流IC的實(shí)驗(yàn)。

    型號(hào): 所在地:武漢市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2021/9/8 15:45:29 對(duì)比
    晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀參數(shù)測(cè)試儀
  • 高壓反偏設(shè)備

    高壓反偏設(shè)備 在設(shè)定電壓(反偏電壓一直加)下對(duì)22個(gè)器件的漏電流依次進(jìn)行測(cè)試 在設(shè)定電壓(反偏電壓一直加)下對(duì)22個(gè)器件的漏電流依次進(jìn)行測(cè)試

    型號(hào): 所在地:武漢市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2021/9/8 15:43:45 對(duì)比
    晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀參數(shù)測(cè)試儀
  • 雪崩測(cè)試儀(電壓耐量測(cè)試設(shè)備)

    雪崩測(cè)試儀(電壓耐量測(cè)試設(shè)備) 設(shè)備滿足電壓在5000V及以下范圍內(nèi)二極管、三極管、MOS管及IGBT等器件的測(cè)試需求。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)控制,具有波形顯示功能。

    型號(hào): 所在地:武漢市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2021/9/8 15:42:03 對(duì)比
    晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀參數(shù)測(cè)試儀
  • 特大功率碳化硅器件測(cè)試儀系統(tǒng)

    特大功率碳化硅器件測(cè)試儀系統(tǒng) 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。

    型號(hào): 所在地:武漢市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2021/9/7 15:41:52 對(duì)比
    晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀參數(shù)測(cè)試儀
  • 分立器件測(cè)試系統(tǒng)

    分立器件測(cè)試系統(tǒng) 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。

    型號(hào): 所在地:武漢市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2021/9/7 15:37:13 對(duì)比
    晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀參數(shù)測(cè)試儀
  • 功率器件流水線全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

    功率器件流水線全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng) 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。

    型號(hào): 所在地:武漢市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2021/9/7 15:36:22 對(duì)比
    晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀參數(shù)測(cè)試儀
  • SiC雪崩能力測(cè)試儀

    SiC雪崩能力測(cè)試儀 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。

    型號(hào): 所在地:武漢市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2021/9/7 15:33:30 對(duì)比
    晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀參數(shù)測(cè)試儀
  • 功率器件流水線自動(dòng)動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)

    功率器件流水線自動(dòng)動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng) 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。

    型號(hào): 所在地:武漢市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2021/9/7 15:32:09 對(duì)比
    晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀參數(shù)測(cè)試儀
  • 電流耐量測(cè)試設(shè)備

    電流耐量測(cè)試設(shè)備 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。

    型號(hào): 所在地:武漢市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2021/9/7 15:29:55 對(duì)比
    晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀參數(shù)測(cè)試儀
  • SiC 功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

    SiC 功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng) 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。

    型號(hào): 所在地:武漢市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2021/9/7 15:28:23 對(duì)比
    晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀參數(shù)測(cè)試儀
  • 半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)

    半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng) 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。

    型號(hào): 所在地:武漢市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2021/9/7 15:26:43 對(duì)比
    晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀參數(shù)測(cè)試儀

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