-
半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀系統(tǒng)
半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀系統(tǒng)單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。
型號(hào):
所在地:武漢市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2024/10/10 18:36:45
對(duì)比
晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀參數(shù)測(cè)試儀半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀分立器件測(cè)試儀
-
IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)
IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。
型號(hào):
所在地:武漢市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2024/10/10 18:24:08
對(duì)比
晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀參數(shù)測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)靜態(tài)參數(shù)測(cè)試
-
多功能分立器件測(cè)試系統(tǒng)
多功能分立器件測(cè)試系統(tǒng) 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。
型號(hào):
所在地:武漢市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2021/9/8 15:53:09
對(duì)比
晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀參數(shù)測(cè)試儀
-
功率器件流水線全靜態(tài)參數(shù)自動(dòng)測(cè)試儀
功率器件流水線全靜態(tài)參數(shù)自動(dòng)測(cè)試儀 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。
型號(hào):
所在地:武漢市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2021/9/8 15:51:39
對(duì)比
晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀參數(shù)測(cè)試儀
-
分立器件測(cè)試儀系統(tǒng)
分立器件測(cè)試儀系統(tǒng) 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。
型號(hào):
所在地:武漢市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2021/9/8 15:50:30
對(duì)比
晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀參數(shù)測(cè)試儀
-
IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀設(shè)備
IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀設(shè)備 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。
型號(hào):
所在地:武漢市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2021/9/8 15:49:44
對(duì)比
晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀參數(shù)測(cè)試儀
-
半導(dǎo)體分立器件光耦適配器測(cè)試儀
半導(dǎo)體分立器件光耦適配器測(cè)試儀 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。
型號(hào):
所在地:武漢市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2021/9/8 15:48:23
對(duì)比
晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀參數(shù)測(cè)試儀
-
晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀設(shè)備
晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀設(shè)備 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。
型號(hào):
所在地:武漢市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2021/9/8 15:47:39
對(duì)比
晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀參數(shù)測(cè)試儀
-
功率電子器件正向壽命試驗(yàn)系統(tǒng)
功率電子器件正向壽命試驗(yàn)系統(tǒng) 測(cè)試一個(gè)器件周期為80ms,依次測(cè)試完成22個(gè)器件后結(jié)束測(cè)試,之后自動(dòng)切換到下一個(gè)設(shè)定電流下測(cè)試,直到測(cè)試完成。
型號(hào):
所在地:武漢市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2021/9/8 15:46:54
對(duì)比
晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀參數(shù)測(cè)試儀
-
碳化硅器件浪涌電流測(cè)試設(shè)備
碳化硅器件浪涌電流測(cè)試設(shè)備 主要是實(shí)現(xiàn)測(cè)試碳化硅器件在開通瞬間產(chǎn)生最大承受電流Ipp及在關(guān)斷瞬間產(chǎn)生最大沖擊電流IC的實(shí)驗(yàn)。
型號(hào):
所在地:武漢市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2021/9/8 15:45:29
對(duì)比
晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀參數(shù)測(cè)試儀
-
高壓反偏設(shè)備
高壓反偏設(shè)備 在設(shè)定電壓(反偏電壓一直加)下對(duì)22個(gè)器件的漏電流依次進(jìn)行測(cè)試 在設(shè)定電壓(反偏電壓一直加)下對(duì)22個(gè)器件的漏電流依次進(jìn)行測(cè)試
型號(hào):
所在地:武漢市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2021/9/8 15:43:45
對(duì)比
晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀參數(shù)測(cè)試儀
-
雪崩測(cè)試儀(電壓耐量測(cè)試設(shè)備)
雪崩測(cè)試儀(電壓耐量測(cè)試設(shè)備) 設(shè)備滿足電壓在5000V及以下范圍內(nèi)二極管、三極管、MOS管及IGBT等器件的測(cè)試需求。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)控制,具有波形顯示功能。
型號(hào):
所在地:武漢市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2021/9/8 15:42:03
對(duì)比
晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀參數(shù)測(cè)試儀
-
特大功率碳化硅器件測(cè)試儀系統(tǒng)
特大功率碳化硅器件測(cè)試儀系統(tǒng) 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。
型號(hào):
所在地:武漢市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2021/9/7 15:41:52
對(duì)比
晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀參數(shù)測(cè)試儀
-
分立器件測(cè)試系統(tǒng)
分立器件測(cè)試系統(tǒng) 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。
型號(hào):
所在地:武漢市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2021/9/7 15:37:13
對(duì)比
晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀參數(shù)測(cè)試儀
-
功率器件流水線全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)
功率器件流水線全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng) 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。
型號(hào):
所在地:武漢市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2021/9/7 15:36:22
對(duì)比
晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀參數(shù)測(cè)試儀
-
SiC雪崩能力測(cè)試儀
SiC雪崩能力測(cè)試儀 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。
型號(hào):
所在地:武漢市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2021/9/7 15:33:30
對(duì)比
晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀參數(shù)測(cè)試儀
-
功率器件流水線自動(dòng)動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)
功率器件流水線自動(dòng)動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng) 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。
型號(hào):
所在地:武漢市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2021/9/7 15:32:09
對(duì)比
晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀參數(shù)測(cè)試儀
-
電流耐量測(cè)試設(shè)備
電流耐量測(cè)試設(shè)備 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。
型號(hào):
所在地:武漢市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2021/9/7 15:29:55
對(duì)比
晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀參數(shù)測(cè)試儀
-
SiC 功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)
SiC 功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng) 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。
型號(hào):
所在地:武漢市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2021/9/7 15:28:23
對(duì)比
晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀參數(shù)測(cè)試儀
-
半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)
半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng) 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。
型號(hào):
所在地:武漢市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2021/9/7 15:26:43
對(duì)比
晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀參數(shù)測(cè)試儀